HBT工艺
福联集成面向Wi-Fi 6和6E、移动通信等终端市场,主推砷化镓HBT系列高线性、高健壮性HH02工艺和高增益、高线性、高健壮性的HS03工艺。 查看详情PHEMT工艺
福联集成面向5G小型蜂窝和基站、Ku/K/Ka波段通信,主推砷化镓0.15um、0.25um、0.5um pHEMT射频解决方案,高效融合ESD、LNA及Switch于同一工艺平台上。 查看详情IPD工艺
福联集成根据不同应用领域可提供标准版和空气桥连线工艺的两种IPD技术,应用于滤波器、巴伦等无源器件集成制造。 查看详情PD工艺
福联集成面向光通信应用领域,提供6英寸砷化镓衬底短波光探测器芯片制造工艺OD01、OD02,以及4英寸InP衬底长波光芯片制造工艺OD04。 查看详情